ASML 证实今年将向台积电交付价值 3.8 亿美元的高 NA EUV 光刻机
ASML证实将向台积电交付价值3.8亿美元的高NA EUV光刻机，之前台积电曾表示不需此技术。台积电已改变观念，计划生产更高精度的芯片。ASML的High-NA光刻机有望降低66%的尺寸大小，提高芯片制造上限。台积电计划在2nm节点使用GAAFET晶体管。
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2024-06
国产设备“零突破”！国产前道涂胶显影设备将首次进入OCF国际供应链！
国产前道涂胶显影设备将首次进入OCF国际供应链，这是国产设备的一次重大突破。芯达半导体设备（苏州）有限公司与吉林求是光谱数据科技有限公司合作，实现了涂胶显影设备的完全国产化，可替代国外进口产品。芯达半导体计划未来三年内完成14~28nm设备研发、生产、测试和销售，预计五年内的总研发投入将超亿元。该设备的研发和生产为国产光刻工艺的突破，尤其是光刻胶的进一步突破打下了良好的基础。
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2024-06
三菱电机熊本SiC晶圆厂将提前5个月投运
三菱电机将在日本熊本建设新8英寸SiC晶圆厂，提前运营以应对市场需求增长。 应用于汽车和工业领域，有望提高电动汽车的行驶里程和整体节能效果。三菱电机计划扩大SiC的销售额比例，并加强相关生产设施。
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2024-06
北京集成电路产教融合基地明年9月投用
北京集成电路产教融合基地项目正在建设中，预计将在2025年9月投入使用。这个基地位于北京经开区核心区，总建筑面积为105524平方米，将包含四栋地上11层、地下3层的教学科研楼。项目旨在提供一个集教学、科研和生活功能于一体的场所，最多可容纳2000人同时在校培训。建筑采用了一系列智能和绿色施工技术，包括BIM三维智能钢结构建模、智能建筑机器人、数字孪生可视化交付运维系统等，以提高建造水平和安全生产。这个基地的建设是深化产教融合、培养集成电路人才的重要措施，建设单位将确保工程进度和质量，将其打造成精品工程。
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2024-06
世界各国第三代半导体材料发展情况
第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等为代表，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力等特性。这些材料主要应用于光电子器件、电力电子器件等领域，具有巨大的市场潜力。欧美日等发达国家和地区都将碳化硅半导体技术列入国家战略，并投入巨资支持发展。
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2024-06
3499cc拉斯维加斯(深圳)有限公司
深圳市宝安区石岩街道德政路高科工业区森海诺科创大厦7楼
工厂地址：河南省焦作市武陟县木栾街道郑北大道与覃怀大道交叉口智能硬件产业港6号楼
